PERANCANGAN SENSOR CAHAYA MENGGUNAKAN FILM BST DENGAN SUBSTRAT SILIKON 100 TYPE-P DAN INDIUM TIN OXIDE

Abstract

ABSTRAK

Tujuan dari penelitian ini untuk mengetahui sifat-sifat optik dari film tipis BST (B_0,5S_0,5TiO₃) dengan 2 substrat yang berbeda yaitu substrat Indium Tin Oxide (ITO) dan substrat Silikon 100 tipe-p. Proses ini menggunakan metode Chemical Solution Decomposition (CSD) dengan substrat ditetesi larutan BST dan mengalami spin coating dengan kecepatan 3000 rpm selama 30 detik. Proses annealing dengan suhu 850 ^oC untuk substrat Silikon 100 tipe-p dan 200 ^oC untuk substrat ITO. Pengujian sifat optik yaitu sifat reflekstansi dari film tipis. Dari hasil pengujian untuk 6 sampel untuk setiap substrat, film tipis substrat silikon memiliki reflekstansi maksimum pada panjang gelombang 430-440 nm dan reflektansi minimum pada panjang gelombang 360-380 nm, sedangkan film tipis substrat ITO memiliki reflekstansi maksimum pada panjang gelombang 280 nm dan reflekstansi minimum pada panjang gelombang 380 nm dan kestabilan reflekstansi terjadi pada panjang gelombang 460-830 nm. Dari hasil pengukuran menggunakan spektrometer, celah pita energi dapat ditentukan dengan metode Kubelka-Monk dengan menggunakan relasi Tauc Plot. Hasil pada sensor bersubstrat silikon dapat bekerja dengan mendeteksi pengaruh cahaya tampak dan cahaya ultraviolet sedangkan pada sensor bersubstrat ITO dapat bekerja dengan mendeteksi pengaruh cahaya tampak.

ABSTRACT

     The purpose of this research is to know the optical properties of thinfilm BST (B_0,5S_0,5TiO₃) with 2 different substrate of Indium Tin Oxide substrate (ITO) and p-type Silicon 100 substrate. This process uses Chemical Solution Decomposition (CSD) method which substrate is injected with BST and spin coating at 3000 rpm for 30 seconds. Followed by annealing process with temperature 850 ^oC for p-type 100 silicon substrate and for ITO substrate with temperature of 200 ^oC using Chemical Solution Decomposition (CSD) method. Testing of optical properties is the nature of the reflectance of the film. From the test results for 6 samples for each substrate, the silicon substrate filmisation has a maximum reflectance at the 430-440 nm wavelength and minimum reflectance at 360-380 nm wavelength, while ITO substrate filmization has maximum reflectance at 280 nm wavelength and minimum reflectivity at 380 nm wavelength and reflectivity stability occurs at 460-830 nm wavelength. From the results using a spectrometer, the energy band gap can be determined by Kubelka-Monk method using Tauc Plot relation. the results on the silicon substrate sensor can work by detecting light and ultraviolet light while on the ITO substrate sensor can work by detecting visible light.